【財新網(wǎng)】（記者 羅國平）經(jīng)過幾年摸索，中國首款自主研發(fā)的DRAM芯片投產(chǎn)，預(yù)計年底正式交付。9月20號召開的2019世界制造業(yè)大會上，長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官（CEO）朱一明介紹，長鑫存儲研發(fā)的10納米級第一代8Gb核心的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR4）內(nèi)存芯片已經(jīng)投產(chǎn)。該芯片已經(jīng)通過多個國內(nèi)外大客戶驗證，將于今年年底正式交付。另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

　　長鑫存儲投產(chǎn)的這款DRAM芯片采用19nm工藝，與國際巨頭仍有差距。10納米級工藝已經(jīng)歷兩次技術(shù)迭代，最初為1X nm工藝，介于16-19nm之間；1Y nm工藝在14-16nm之間，最新的1Z nm工藝在12-14nm之間。2019年3月，三星宣布開發(fā)1Z納米工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品。