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      1. 財(cái)新傳媒
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        中國(guó)首款DRAM芯片投產(chǎn) 將于年底正式交付

        2019年09月20日 17:00 來(lái)源于 財(cái)新網(wǎng)
        可以聽(tīng)文章啦!
        長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投產(chǎn)的這款DRAM芯片采用19nm工藝,與國(guó)際巨頭仍有差距。但該產(chǎn)品填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)DRAM芯片的空白,具有開(kāi)拓意義。未來(lái)仍面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
        資料圖:芯片。經(jīng)過(guò)幾年摸索,中國(guó)首款自主研發(fā)的DRAM芯片投產(chǎn),預(yù)計(jì)年底正式交付。圖/視覺(jué)中國(guó)

          【財(cái)新網(wǎng)】(記者 羅國(guó)平)經(jīng)過(guò)幾年摸索,中國(guó)首款自主研發(fā)的DRAM芯片投產(chǎn),預(yù)計(jì)年底正式交付。9月20號(hào)召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官(CEO)朱一明介紹,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)研發(fā)的10納米級(jí)第一代8Gb核心的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR4)內(nèi)存芯片已經(jīng)投產(chǎn)。該芯片已經(jīng)通過(guò)多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶驗(yàn)證,將于今年年底正式交付。另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

          長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投產(chǎn)的這款DRAM芯片采用19nm工藝,與國(guó)際巨頭仍有差距。10納米級(jí)工藝已經(jīng)歷兩次技術(shù)迭代,最初為1X nm工藝,介于16-19nm之間;1Y nm工藝在14-16nm之間,最新的1Z nm工藝在12-14nm之間。2019年3月,三星宣布開(kāi)發(fā)1Z納米工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品。

        責(zé)任編輯:覃敏 | 版面編輯:吳秋晗
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