【財(cái)新網(wǎng)】（記者 羅國(guó)平）經(jīng)過(guò)幾年摸索，中國(guó)首款自主研發(fā)的DRAM芯片投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底正式交付。9月20號(hào)召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官（CEO）朱一明介紹，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)研發(fā)的10納米級(jí)第一代8Gb核心的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR4）內(nèi)存芯片已經(jīng)投產(chǎn)。該芯片已經(jīng)通過(guò)多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶驗(yàn)證，將于今年年底正式交付。另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投產(chǎn)的這款DRAM芯片采用19nm工藝，與國(guó)際巨頭仍有差距。10納米級(jí)工藝已經(jīng)歷兩次技術(shù)迭代，最初為1X nm工藝，介于16-19nm之間；1Y nm工藝在14-16nm之間，最新的1Z nm工藝在12-14nm之間。2019年3月，三星宣布開(kāi)發(fā)1Z納米工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品。