【財新網(wǎng)】(記者 羅國平)經(jīng)過幾年摸索,中國首款自主研發(fā)的DRAM芯片投產,預計年底正式交付。9月20號召開的2019世界制造業(yè)大會上,長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官(CEO)朱一明介紹,長鑫存儲研發(fā)的10納米級第一代8Gb核心的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR4)內存芯片已經(jīng)投產。該芯片已經(jīng)通過多個國內外大客戶驗證,將于今年年底正式交付。另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。
長鑫存儲投產的這款DRAM芯片采用19nm工藝,與國際巨頭仍有差距。10納米級工藝已經(jīng)歷兩次技術迭代,最初為1X nm工藝,介于16-19nm之間;1Y nm工藝在14-16nm之間,最新的1Z nm工藝在12-14nm之間。2019年3月,三星宣布開發(fā)1Z納米工藝的8Gb DDR4產品。