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      1. 財(cái)新傳媒
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        存儲芯片設(shè)計(jì)公司東芯將登陸科創(chuàng)板 估值30億元

        記者 何書靜 實(shí)習(xí)記者 崔浩
        2021年04月16日 22:37
        過去三年半錄得收入共25億元,虧損共1.6億元
        4月15日,上交所公告稱,東芯半導(dǎo)體股份有限公司符合發(fā)行、上市條件及信息披露要求,意味著其成功過會,將于科創(chuàng)板上市。東芯是芯片設(shè)計(jì)公司,芯片制造外包給代工廠。圖/視覺中國

          【財(cái)新網(wǎng)】(記者 何書靜 實(shí)習(xí)記者 崔浩)中國存儲芯片設(shè)計(jì)公司東芯將登陸科創(chuàng)板。4月15日,上交所公告稱,東芯半導(dǎo)體股份有限公司符合發(fā)行、上市條件及信息披露要求,意味著其成功過會,將于科創(chuàng)板上市。

          根據(jù)招股書,此次東芯計(jì)劃募資7.5億元,以發(fā)行后不超過4.42億股份計(jì)算,其估值約為30億元。東芯本次發(fā)行前總股本為3.32億股,本次發(fā)行不超過1.11億股新股,占發(fā)行后總股本的比例不低于25%,本次募集的7.5億資金中,近四成用于補(bǔ)充流動資金,其余資金用于各種研發(fā)項(xiàng)目,包括 1Xnm 閃存產(chǎn)品、車規(guī)級閃存產(chǎn)品、研發(fā)中心建設(shè)。所謂1Xnm是指制程介于16至19納米的存儲芯片,此外還有制程更先進(jìn)的1Y(14-16nm)和1Z(12-14nm)。

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        責(zé)任編輯:屈運(yùn)栩 | 版面編輯:楊勝忠
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