【財新網(wǎng)】2022年6月23日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)布訃告稱，中國工程院院士、半導(dǎo)體研究所研究員梁駿吾在北京逝世，享年89歲。

　　梁駿吾從事半導(dǎo)體材料科學(xué)研究60余年，是中國早期半導(dǎo)體硅材料的奠基人。他有關(guān)無位錯、無漩渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶研制成就，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)之一。

　　1933年9月18日，梁駿吾出生于湖北武漢，是家里五兄妹中最小的。他自幼興趣廣泛，喜歡新詩，先后在漢口、黃陂讀小學(xué)，1945年考入武漢市一中。1949年5月，武漢解放，正在讀高二的梁駿吾還去夜校當(dāng)過一段時間教員。1951年，梁駿吾考上武漢大學(xué)，受高中化學(xué)老師的影響，他選擇了化學(xué)系。